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1、年限要求:5年以上化合物半導(dǎo)體材料加工或研究經(jīng)驗(yàn);
2、專業(yè)要求:材料科學(xué)與工程、材料化學(xué)、高分子材料與工程、化工工藝、物理、機(jī)械類、半導(dǎo)體等專業(yè)本科以上學(xué)位優(yōu)先;
3、擁有的襯底晶片加工經(jīng)驗(yàn)( InP產(chǎn)品加工經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先)，對(duì)晶片加工、特別是加工擁有宏觀的把控，了解行業(yè)的襯底生產(chǎn)企業(yè)生產(chǎn)制造工藝(包括半導(dǎo)體、半絕緣產(chǎn)品的)，并能夠?qū)氘a(chǎn)線量產(chǎn);
4、可以主導(dǎo)倒角刻字劃片工藝工藝改進(jìn)優(yōu)化，解決客戶問題。
5、了解半導(dǎo)體晶體、襯底及外延相關(guān)的理論知識(shí)，可以用于分析并解決客戶問題;
6、擁有生產(chǎn)問題、客訴問題解決經(jīng)驗(yàn)，主導(dǎo)解決多種技術(shù)困難、客訴問題等。可以指導(dǎo)晶片品質(zhì)及成品率的提升改進(jìn)工作;
7、熟悉倒角設(shè)備和激光刻字類設(shè)備；
8、擁有相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)明專利、論文等。(優(yōu)先條件)
9、本科學(xué)歷，碩士學(xué)歷優(yōu)先。
有在SEI、AXT、云鍺、鼎泰做過InP研磨腐蝕減薄工藝或生產(chǎn)管理的可以放寬學(xué)歷要求